沿革
1941年8月
中外電業社創業
1943年12月
中外電業社を株式会社に改組
商号を中外接点株式会社に変更1955年11月
電気接点材料Ag-CdOの研究開発完成・販売開始
1960年4月
東京都目黒区に東京工場完成
粉末焼結合金接点完成・量産開始1962年4月
神奈川県藤沢市に神奈川工場完成
商号を中外電気工業株式会社に変更1963年5月
本社を東京都目黒区に移転
電気接点バイメタクトの研究開発完成・量産開始
富山県福光町に富山工場完成1965年3月
西独ドヅコ社と技術相互援助契約締結
1973年3月
接点材料ネオシルコン（Ag-SnO-InO）の開発完成・量産開始
大同中外貴金属股份有限公司を設立（台湾 大同グループと合弁）1976年6月
ネオシルコン世界主要国にて特許取得
1978年3月
本社を東京都中央区茅場町へ移転
東京工場を閉鎖、研究、業務管理部門を神奈川工場へ移転1984年2月
ネオシルコン日本にて特許取得
1985年1月
西独デグッサ社とバイメタクト製造技術援助契約締結
1988年6月
CHUGAI (MALAYSIA) SDN.BHD.をマレーシアに設立
1996年4月
ISO9001認証取得
1997年1月
CHUGAI （MALAYSIA） ISO9001認証取得
2004年6月
CHUGAI （MALAYSIA） 第4工場完成
CHUGAI （MALAYSIA） ISO/TS16949認証取得2006年4月
CHUGAI (MALAYSIA) ISO14001認証取得
2006年9月
ISO14001認証取得
2007年5月
群馬県伊勢崎市に群馬工場完成
2011年7月
CHUGAI (MALAYSIA) メッキ部門新設
2011年9月
神奈川工場メッキ部門更新
2012年8月
ヘッダー部門増強のため富山工場改修
2013年9月
電子プローブ・マイクロアナライザー更新
2013年10月
CHUGAI (MALAYSIA) 分析走査電子顕微鏡EDX導入
2014年5月
台湾中外電気工業股份有限公司を台湾に設立（合弁を解消し100％独資へ）
2018年9月
MICRO ELECTRICAL CONTACT INDONEGIA PT（現地資本と合弁）をインドネシアに設立
2022年3月
払込資本金160百万円を95百万円に減資
2024年3月
情報セキュリティ対策 SECURITY ACTION （二つ星）を宣言しました。
